Liqui-Cel

微电子/平板

技术大纲

TB 72: 中国一家化工厂采用1级RO+Liqui-cel 脱气+EDI取代双级RO+EDI 系统
连续电脱盐已经在全球的很多工业水处理系统得到广泛的应用。为了最大限度保证EDI的运行稳定性和使用寿命, 人们经常采用两级反渗透带级间加碱的前处理设计。然而,为了避免双级反渗透导致的高设备投资和高运行费用的缺点,工程技术人员正寻找替代方案。对高总碱度的给水,一种经济的选择是去除水中的二氧化碳。

TB 46:膜组件提高了EDI性能
Liqui-Cel® 脱碳器一般都在RO之后EDI之前用于去除CO2 以便提高性能.

TB 44:溶解氧气和氮气的精确控制
半导体晶片清洗应用中氧气和氮气的精确控制。

TB 37:CO2:Liqui-Cel® 接触器与强制通风脱气器比较
这是对iqui-Cel® 接触器与强制通风脱气器的CO2去除技术的比较。

TB 33:水中IMEC溶解氧降到 3 ppb
半导体研究机构使用Liqui-Cel® 脱气接触器从水中脱氧到3 ppb。

TB 24:使用SuperPhobic® 膜组件从水流中去除气泡
使用SuperPhobic® 膜脱气器去除水溶液中的气泡。

TB 23:使用Liqui-Cel®膜组件实现气流增湿
阅读有关通过简洁的膜组件实现气体增湿的内容。

TB 19:改善RO 和 EDI系统出口的水质

TB 17:从水中去除二氧化碳
了解使用脱气接触器如何从水中去除CO2的化学性质。

更多技术大纲

更多信息。

需要为您的应用选择正确的产品? 阅读我们为整个Liqui-Cel¬ 膜组件产品线设立的技术规范。

微电子工业已使用Liqui-Cel® 膜组件超过15年,从用于半导体晶片制造过程的去除 DI水中去除氧气和二氧化碳。 Liqui-Cel 接触器可以很简便地去除溶解氧至1 ppb以下,去除溶解的二氧化碳到1 ppm以下。

半导体晶片和平板显示器经过一个多步骤的处理过程,其中的层为被曝光和显影图像。 在处理的每一层,需要用超纯水冲洗来自晶片上的残余加工助剂。 如果在水中有气体,它们将沉积在晶片的表面,并导致晶片表面的瑕疵。

另外,EDI 和 CDI 已成为半导体工业中离子交换的普遍技术。 如果提前将溶解的CO2从水中去除,这些技术能够更加有效地实施。 水中过多的 CO2 将加重 EDI 的负担,而且与必需的EDI膜堆相比,需要更多。 多余的CO2对EDI/CDI技术的硅和硼的脱除有负面的影响。

Liqui-Cel接触器已成为微电子和平板工业中的脱气标准,具有很低的杂质溶出率,具有低的萃取率,而且对水的质量没有负面的影响。 与真空脱气器相比,它们具有10倍的表面积,使得它们很紧凑,事实上可以放在建筑物中任何地方。 不同于真空塔,它们是模块化设计的,而且是可扩展的,可以根据工厂规范的变化而增加。 如果水量需求增加,或者氧气规范降低,可以在系统中增加更多的接触器,以满足变化的需要。

膜组件已经被此工业接受,而且受到欢迎超过了15年。
 

技术论文

朗讯科技的低水平氧去除案例
此论文总结了一个在朗讯科技使用Liqui-Cel® 膜组件对水脱氧到10 ppb的案例研究。

使用膜组件去除CO2,以便延长树脂床的寿命
此案例研究探讨了德克萨斯的San Antonio的城市公共服务的运转成本节省和效率改善。他们选择Liqui-Cel接触器代替强制通风脱气器,在他们的工厂中去除CO2,以便延长树脂床的寿命,降低运行成本,并摆脱化学添加剂.

VLSI 选择Liqui-Cel接触器取代传统的真空塔,用于脱气
此论文描述了VLSI就其在德克萨斯San Antonio的工厂作出评价的生产过程和技术。 选择Liqui-Cel® 接触器代替真空脱氧到1ppb以下。

超纯水:微电子学系统
此论文讨论了在新的半导体工厂中将Liqui-Cel® 膜组件用作脱气和去氧技术,代替较早的技术,如真空塔。

学习课程:300 到 600 gpm 半导体高纯水系统的安装
本论文讨论了在VLSI所做的技术选择。 选择Liqui-Cel膜组件跨越2级真空塔并强调了Liqui-Cel膜组件的质量优点。

Mansfield酿酒厂使用Liqui-Cel® 膜组件氮化啤酒
使用Liqui-Cel®膜组件将氮气加入啤酒以便控制CO2的容量并生产匀和的keg啤酒在保留keg啤酒的泡沫特性情况下模仿桶状啤酒的味道。

满足300 mm处理的水质规范
此论文回顾了300 mm处理从历史到现在的UPW 规范。 更特殊的是,该论文探讨了最新的技术,包括用于满足新技术规范的Liqui-Cel® 接触器。

膜组件:技术介绍
本论文就膜组件技术提供了一个很好的概述。 讨论了膜组件的操作原理和传质原理。

用于半导体工业水净化的膜处理
此论文探讨了半导体工厂中整个的UPW 环路。 膜脱气一定是未来去氧到1 ppb的技术

在300mm半导体处理中使用脱氧膜
此论文探讨了如何在300mm半导体处理中使用脱气膜满足其低氧规范

VLSI 选择Liqui-Cel接触器取代传统的真空塔,用于脱气
此论文描述了VLSI为其在德克萨斯San Antonio的工厂评价的过程和技术 选择Liqui-Cel 接触器代替真空脱氧到1ppb以下。